MOSトランジスタの製造方法

開放特許情報番号
L2011002799
開放特許情報登録日
2011/6/17
最新更新日
2016/10/7

基本情報

出願番号 特願2011-050907
出願日 2011/3/9
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-190860
公開日 2012/10/4
発明の名称 MOSトランジスタの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 MOSトランジスタの製造方法
目的 メタルソース/ドレインを有するMOSトランジスタにおいて、メタルソース/ドレインの位置制御且つショットキーバリアハイトの制御の両者を実現できる技術を提供する。
効果 エピタキシャルNiSi↓2ソース/ドレインの形成時のアニール時間を変化させ、さらに、Pイオン注入を行うことにより、MOSトランジスタの接合位置制御とショットキーバリアハイトを制御することができる。
技術概要
SOI層上にゲート電極構造を形成する工程と、該ゲート電極構造をマスクにSOI層上に窒素添加Ni膜を成膜する工程と、窒素添加Ni膜上にTiN膜を形成する工程と、窒素雰囲気中でアニールしSOI層中にMOSトランジスタのソース及びドレインとなるエピタキシャルNiSi↓2層を形成する工程と、TiNと残ったNi膜を除去する工程と、該ゲート電極構造をマスクに該エピタキシャルNiSi↓2層中にPイオンを注入する工程と、該Pイオンを活性化アニールする工程とを含むMOSトランジスタの製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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