| 出願番号 |
特願2009-037182 |
| 出願日 |
2009/2/19 |
| 出願人 |
国立大学法人 熊本大学 |
| 公開番号 |
特開2010-188487 |
| 公開日 |
2010/9/2 |
| 登録番号 |
特許第5343250号 |
| 特許権者 |
国立大学法人 熊本大学 |
| 発明の名称 |
触媒支援型化学加工方法及びそれを用いた加工装置 |
| 技術分野 |
機械・加工 |
| 機能 |
機械・部品の製造、表面処理 |
| 適用製品 |
ラッピングプロセス、半導体製造工程、パワーデバイス用基板、半導体ウエハ |
| 目的 |
基準面が変化せず、化学的な反応が可能な触媒作用を利用した触媒支援型化学加工方法において、ＳｉＣやＧａＮ等の難加工物に対して精度良く加工能率を大幅に改善することができ、簡単な方法で単結晶ＳｉＣやＧａＮ等のパワーデバイス用基板を作製することが可能な触媒支援型化学加工方法及びそれを用いた加工装置の提供。 |
| 効果 |
この技術によれば、鉄定盤が触媒作用のある加工基準面となり、そして遷移金属微粒子と酸化物微粒子の少なくとも一方と過酸化水素水をベースとした配合研磨液を用いることにより、触媒表面で過酸化水素から活性種を生成し、触媒に接触若しくは極接近した被加工物の表面原子と活性種との化学反応で生成した化合物を、遷移金属微粒子又は酸化物微粒子の作用により効率良く除去、あるいは溶出させることによって被加工物を高い平坦度で且つ高能率に加工することができ、前加工として用いることができる。 |
技術概要
 |
この技術は、触媒としての鉄定盤上に、遷移金属微粒子と酸化物微粒子の少なくとも一方と過酸化水素水をベースとした配合研磨液を供給しながら被加工物を所定の押圧力で接触させ、鉄定盤と被加工物を相対的に移動させて研磨することを特徴とする触媒支援型化学加工方法を提供する。また、触媒としての遷移金属微粒子と過酸化水素水をベースとした配合研磨液、あるいは触媒としての遷移金属微粒子、酸化物微粒子及び過酸化水素水をベースとした配合研磨液を、ポリッシングパッド上に供給しながら被加工物を所定の押圧力で接触させ、ポリッシングパッドと被加工物を相対的に移動させて研磨することを特徴とする触媒支援型化学加工方法を提供する。そして、この加工方法を実現するために、触媒としての平坦な回転鉄定盤と、鉄定盤の回転軸に対して偏心した回転軸を有し且つ押圧手段を有するホルダーとを備え、遷移金属微粒子と酸化物微粒子の少なくとも一方と過酸化水素水をベースとした配合研磨液を、鉄定盤上に供給しながら被加工物を前記鉄定盤に所定の押圧力で押圧し、鉄定盤とホルダーを回転させて研磨する触媒支援型化学加工装置を提供する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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