発光素子およびその製造方法

開放特許情報番号
L2011002740
開放特許情報登録日
2011/6/17
最新更新日
2012/7/27

基本情報

出願番号 特願2007-125226
出願日 2007/5/10
出願人 国立大学法人 熊本大学
公開番号 特開2007-329468
公開日 2007/12/20
発明の名称 発光素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体集積回路、電磁波干渉、光ファイバー、コンピュータ、信号処理装置
目的 通信波長帯の光等を好適に発光可能な発光素子およびその製造方法であって、特に1.5μm帯において高い発光強度を有すると共に、電流注入が容易なシリコン系の発光素子およびその製造方法の提供。
効果 この技術では、発光層が、酸化ケイ素(SiO↓x,0.5<x<1.5)とエルビウムとを含んで構成されるようにしたので、特に1.5μm付近の通信波長帯の発光強度を向上させることができる。また、他の発光素子によれば、発光層がシリコンと酸素とエルビウムとを含み、光学的バンドギャップが1.1以上4.0以下となるようにしたので、発光層への電流注入が容易となる。これにより、シリコン基板上に、集積回路と共に発光素子を形成できるようになるため、低コスト化、小型化が可能となる。
技術概要
この技術の発光素子は、酸化ケイ素(SiO↓x,0.5<x<1.5)とエルビウム(Er)とを含む発光層を備えてなり、このような発光素子では、エルビウム原子が周囲の酸素原子と結合してイオン化(Er↑(3+))し、光学的に活性化されるため、特に波長1.5μm帯における発光強度が増加する。また、発光素子において、発光層の両側に発光層の屈折率よりも低い屈折率を有する一対のクラッド層を設けるようにしてもよい。これにより、効率的な光閉じ込めが可能となる。一対のクラッド層としては、例えば第1透明導電膜(n型)およびフォトニック結晶層(p型)があり、あるいは、第1透明導電膜(n型)および第2透明導電膜(p型)がある。第1透明導電膜としては、二酸化スズ、インジウム錫酸化物、酸化インジウム、および酸化亜鉛が挙げられる。また、第2透明導電膜としては、酸化亜鉛、二酸化スズ、酸化ニッケル、酸化銅、酸化鉄、酸化ビスマス等が挙げられる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 国立大学法人熊本大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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