不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリ

開放特許情報番号
L2011002625
開放特許情報登録日
2011/6/10
最新更新日
2014/11/20

基本情報

出願番号 特願2009-536988
出願日 2008/10/3
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 WO2009/048025
公開日 2009/4/16
登録番号 特許第5611594号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリ
技術分野 情報・通信、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 不揮発性固体磁気メモリ
目的 キャリア濃度の増減で磁気異方性が変化する磁性体を利用し、磁性体の磁化容易軸方向(磁化が向きやすい方向)を、キャリア濃度を増減させることで制御することにより、超低消費電力の不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリを提供する。
効果 磁場による磁化反転法またはスピン電流による磁化反転法と比較して、磁化を反転させるのに必要な消費電力は、百万分の1以下であることが見積もられるので、極めて低消費電力の不揮発性固体磁気メモリの記録方法が実現できる。
技術概要
磁性体からなる記録層11を備える不揮発性固体磁気メモリの記録方法及び不揮発性固体磁気メモリは、記録層11のキャリア(電子・正孔)濃度を増加または減少させる操作若しくはそれらを組み合わせた操作を行なうことによって、磁化を回転または反転させて記録動作を実行するようにする(図1)。記録層としてキャリア誘起強磁性体を用いる。不揮発性固体磁気メモリは、記録層を支持する所定の基板と、記録層の上方において電気的絶縁層を介して設けられた金属電極層を備えることにより、キャパシタンス構造を呈するようにする。記録層及び金属電極層は互いに符号の異なる電荷の蓄積層として機能するとともに、電圧を記録層と金属電極層間に印加することにより操作を行なう。不揮発性固体磁気メモリは、記録層を支持する所定の基板と、記録層の上方において電気的絶縁層を介して設けられた金属電極層を備えることにより、電界効果型トランジスタ構造を呈し、記録層はチャネル層として機能するとともに、金属電極層はゲート電極として機能し、電圧を記録層と金属電極層間に印加することにより、操作を行う。図2(b)に、素子構造の模式図を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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