相変化材料および相変化型メモリ素子

開放特許情報番号
L2011002618
開放特許情報登録日
2011/6/10
最新更新日
2014/1/27

基本情報

出願番号 特願2011-530917
出願日 2010/9/9
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 WO2011/030916
公開日 2011/3/17
登録番号 特許第5403565号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 相変化材料および相変化型メモリ素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 相変化材料および相変化型メモリ素子
目的 実用性に優れた相変化型メモリ素子を得るために適した新規な組成を有する相変化材料、およびその材料を用いた相変化型メモリ素子を提供する。
効果 アモルファス相と結晶相間の電気抵抗比は、10↑2以上であり、結晶化温度が190℃以上と高く、かつ、アモルファス相の結晶化の活性化エネルギーが3.0eV以上である。従って、この材料のアモルファス相熱的安定性は極めて高くなる。また、これらの材料の融点は比較的低く、結晶相からアモルファス相へ変化させるために必要なエネルギーが小さくなる。その結果、この材料を用いて実用性の高い相変化型メモリ素子を構成することが可能となる。
技術概要
相変化材料はGe↓xM↓yTe↓1↓0↓0↓−↓x↓−↓yで示す組成を有し、式中、Mは、Al、Si、Cu、In、Snから選ぶ1種類の元素を示し、xは5.0〜50.0(at.%)、yは4.0〜45.0(at.%)で、40(at.%)≦x+y≦60(at.%)となるように選ぶ。相変化材料は、追加元素Lとして、さらにN、O、Al、Si、P、Cu、In、Snから選ぶ1種類以上の元素Lを、Ge↓xM↓yTe↓1↓0↓0↓−↓x↓−↓y↓−↓zの形で含み、ここでzを、40(at.%)≦x+y+z≦60(at.%)となるように選ぶ。更に、夫々の元素Mが、Cuである場合、yを、4.0〜38.0(at.%)、Alである場合、yを、4.0〜15.0(at.%)、Cuであり、追加元素LがSiである場合、yを10.0〜38.0(at.%)、zを0.5〜30(at.%)としても良い。基板と、基板上にこの相変化材料で形成したメモリ層と、メモリ層に通電するための第1、第2の電極を備える、相変化型メモリ素子を得る。図に示すメモリセル構造は、メモリ層4の両端に第1、第2の電極5、5を形成している。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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