超電導膜の製造方法並びに該方法により得られる仮焼成膜及び本焼成膜

開放特許情報番号
L2011002516
開放特許情報登録日
2011/5/20
最新更新日
2016/10/7

基本情報

出願番号 特願2011-037342
出願日 2011/2/23
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2011-195435
公開日 2011/10/6
発明の名称 超電導膜の製造方法並びに該方法により得られる仮焼成膜及び本焼成膜
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 高配向性超電導材料膜、大きい膜厚と配向性をもつ超電導膜
目的 従来の金属有機化合物の熱分解を用いた超電導膜材料の製造方法においては、0.6μm程度以下の膜厚については高い配向性が得られるが、0.6〜数μm程度の膜厚では配向性の制御が困難だった。したがって、これまでは、0.6〜数μm程度の膜厚で、高い配向性をもつ超電導膜を得ようとした場合、その製造方法は高コストなパルスレーザー堆積法に限られていた。そこで、金属有機化合物の熱分解による超電導膜の熱処理形成において、低コストで大きい膜厚と配向性を得るための製造方法を提供する。
効果 この超電導膜の製造方法によれば、仮焼成膜の元素分布の均一性が著しく向上するので、膜厚が大きい場合でも、超電導特性が優れた配向性の高い超電導膜を、低コストで、製造効率よく、大量に生産できる。また、高い臨界電流密度を有する超電導膜を得ることも可能である。
技術概要
この高配向性超電導膜の製造方法は、支持体上に、超電導性複合金属酸化物に対応する金属種組成になるように配合された金属含有化合物の有機溶媒溶液を塗布し、乾燥させる工程(1)、この支持体上に形成された塗布膜中の有機成分を熱分解させる仮焼成工程(2)、及び超電導物質への変換を行う本焼成工程(3)を経てエピタキシャル成長させた超電導膜を製造するに際し、工程(2)の前に、KrCl紫外エキシマランプ光を15mW/cm↑2以上の照度で照射することからなる。特に、高配向性超電導膜が、膜厚0.6μm以上の厚膜である場合に効果的である。工程(2)は、露点が20℃以上の水蒸気を含む雰囲気中で行うことが好ましい。金属含有化合物の有機溶媒溶液は、希土類金属、バリウム、及び銅からなる各金属成分を必須成分として含有するものが好ましい。図は、この超電導膜の製造プロセスを示す概略図、および、この製膜プロセス(上段)と従来の熱のみによるプロセス(下段)による仮焼成膜の断面透過電子顕微鏡像(左)と銅元素の分布像(右)を示す。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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