透明導電膜の製造方法及び透明導電膜

開放特許情報番号
L2011002515
開放特許情報登録日
2011/5/20
最新更新日
2015/8/24

基本情報

出願番号 特願2011-035528
出願日 2011/2/22
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-172200
公開日 2012/9/10
登録番号 特許第5773354号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 酸化亜鉛(ZnO)を含む多結晶構造を有する透明導電膜及びジュール加熱を利用した前記透明導電膜の製造方法
目的 ITO代替材料としてのZnO系膜を提供するに当たり、基板加熱法によるエネルギー損失を受けることなく、結晶性が良好で低い比抵抗を有する透明導電膜の製造方法及び透明導電膜を提供する。
効果 ITO代替材料としてのZnO系膜を提供するに当たり、基板加熱法によるエネルギー損失を受けることなく、結晶性が良好で低い比抵抗を有する透明導電膜の製造方法及び透明導電膜を提供することができる。
ITO代替材料として、フラットパネルディスプレイ(FPD)、太陽電池等に用いられる透明電極材料などの分野に広く用いることができる。
技術概要
本発明の透明導電膜の製造方法は、気相蒸着法により基板上に酸化亜鉛を含む多結晶膜を形成する多結晶膜形成工程と、前記多結晶膜に通電してジュール加熱を行うことにより前記多結晶膜を結晶成長させた透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、を含むことを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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