人工超格子誘電体ナノ粒子、およびその製造方法

開放特許情報番号
L2011002455
開放特許情報登録日
2011/5/20
最新更新日
2014/3/27

基本情報

出願番号 特願2009-059753
出願日 2009/3/12
出願人 国立大学法人山梨大学
公開番号 特開2010-208923
公開日 2010/9/24
登録番号 特許第5463582号
特許権者 国立大学法人山梨大学
発明の名称 人工超格子粒子
技術分野 化学・薬品、その他
機能 材料・素材の製造
適用製品 人工超格子誘電体ナノ粒子
目的 高誘電率のセラミックス粒子と低誘電率のポリマーで構成されるフィルムキャパシタにおいて、セラミックス粒子の代わりに、比誘電率が1桁以上も高いと予測できる新規な構造の人工超格子ナノ粒子を提供する。
効果 高誘電率のセラミックス粒子と低誘電率のポリマーで構成されるフィルムキャパシタにおいて、セラミックス粒子の代わりに、比誘電率が1桁以上も高いと予測できる新規な構造の人工超格子ナノ粒子を提供できる。
技術概要
2種類以上の化学組成の異なる酸化物を溶液中で、化学組成の異なる粒子上にエピタキシャルに成長させることにより、球状の核の同心円上に化学組成の異なる酸化物の2種類以上を交互に積層し、球状とした人工超格子ナノ粒子である。酸化物はチタン酸バリウム、またはチタン酸ストロンチウムを含み、酸化物のチタン源として、ジイソプロポキシドジアセチルアセトナート(Ti(iPrO)↓2(AcAc)↓2、TPA)を用いる。人工超格子ナノ粒子は、核生成の工程(第1工程)と、異なる化学組成を持つ粒子上で核生成を伴わずヘテロエピタキシャル成長のみを行う工程(第2工程)と、さらに異なる化学組成を持つ粒子状で核生成を伴わずヘテロエピタキシャル成長のみを行う工程(第3工程)と、さらに第2工程、第3工程を交互に繰り返す人工超格子ナノ粒子の製造方法である。人工超格子ナノ粒子の概念図を示す。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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