タンデム太陽電池及びその生産方法

開放特許情報番号
L2011002364
開放特許情報登録日
2011/5/13
最新更新日
2013/11/29

基本情報

出願番号 特願2009-136219
出願日 2009/6/5
出願人 国立大学法人福井大学
公開番号 特開2010-283208
公開日 2010/12/16
登録番号 特許第5360818号
特許権者 国立大学法人福井大学
発明の名称 タンデム太陽電池及びその生産方法
技術分野 電気・電子、無機材料、生活・文化
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、環境・リサイクル対策
適用製品 太陽電池
目的 この発明は、効率良く低コストで生産が可能なInGaP/GaAs/Si,3接合構造の太陽電池層を含むタンデム太陽電池を提供する。
効果 この発明によれば、Ge介在層が補強材となるため、タンデム太陽電池の生産工程においてInGaP/GaAs,2接合タンデム太陽電池にクラック等が発生しにくいという利点がある。また、InGaP/GaAs/Ge、3接合タンデム太陽電池よりも高い開放端電圧と高い変換効率のInGaP/InGaAs/Si,3接合タンデム太陽電池を、簡単,高効率かつ低コストで生産することができる。特に、InGaP/InGaAsを結晶成長させる際に用いたGe基板の一部を利用することで、さらに生産性とコスト性を高めることができる。
技術概要
太陽電池は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する発電素子で、クリーンなエネルギー供給源として利用の拡大が図られている。このような太陽電池においては、変換効率の向上が今後の重要な課題の一つであり、そのために、吸収波長帯域の異なる光電変換セルを複数重ねたタンデム形太陽電池も開発されている。例えば、InGaP/GaAs/Si、3接合タンデム太陽電池は、高い変換効率を有すると予測されている。ところで、この太陽電池のSi層とヘテロ接合するGaAs層ではSi太陽電池層とGaAs太陽電池層との格子定数及び熱膨張係数が大きく異なることから、良好な接続は得られないという問題があった。この発明のタンデム太陽電池は、InGaP/InGaAs/Si、3接合構造太陽電池を含むタンデム太陽電池において、InGaAs太陽電池層とSi太陽電池層とが、InGaAs太陽電池層の一部に形成されたGe介在層を介して接着されている構成とした。Si太陽電池層の他面にGe太陽電池層を形成し、InGaP/InGaAs/Si/Ge,4接合構造の太陽電池層を含む構成としてもよい。
イメージ図
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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