3C−SiC単結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2011002337
開放特許情報登録日
2011/5/13
最新更新日
2013/6/18

基本情報

出願番号 特願2009-075974
出願日 2009/3/26
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2010-228939
公開日 2010/10/14
登録番号 特許第5244007号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 3C−SiC単結晶の製造方法
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 3C−SiC単結晶、立方晶炭化珪素単結晶、3C−SiC単結晶の製造方法
目的 立方晶炭化珪素(3C−SiC)単結晶はMOS素子等に有効であり、更に、窒化物系材料の無極性成長用の基板としても注目されている。ところで、大型の3C−SiC単結晶は得られ難く、また、種結晶基板として使用できる3C−SiC単結晶もない。種結晶基板として好適な大型の3C−SiC単結晶が存在しないためである。昇華法では得られず、CVD法では欠陥密度が高い。そこで、低欠陥密度で種結晶基板としても使用可能な程度に大型の3C−SiC単結晶を容易に成長させることができる3C−SiC単結晶の製造方法を提供する。
効果 この3C−SiC単結晶の製造方法では、3C−SiC単結晶の二次元核成長に望ましい1350℃未満の原料融液温度を実現できる。また、十分に低温な原料融液を用いるとともに、6H−SiC単結晶基板の表面に固液界面エネルギー差が大きい状態で3C−SiC単結晶を二次元核成長させるため、結晶の成長過程での多形変化が抑制され、大型の3C−SiC単結晶でも容易に作製できる。また、得られる3C−SiC単結晶を種結晶基板とし、さらに3C−SiC単結晶を成長させてもよい。さらに、窒化物系半導体材料の種結晶基板としても有用である。
技術概要
立方晶炭化珪素(3C−SiC)単結晶の製造方法に関し、この3C−SiC単結晶の製造方法は、Si−Sc系溶媒に炭素が溶解している原料融液を1350℃未満とし、この原料溶液を6H−SiC単結晶基板の少なくとも(0001)炭素面に接触させてこの面に3C−SiC単結晶を二次元核成長させる。6H−SiC単結晶基板は、3C−SiC単結晶を成長させる主表面のオフ角が(0001)炭素面から8°未満であることが好ましい。Si−Sc系溶媒は、Si−Sc系溶媒全体を100原子%としたときに、15原子%以上32原子%以下のScを含み残部がSiと不可避不純物からなるのが好ましい。また、6H−SiC単結晶基板は、昇華法により作製されたものでもよいし、得られた3C−SiC単結晶を種結晶基板として基板上にさらに3C−SiC単結晶を成長させてもよい。図は、3C−SiC単結晶の製造方法に用いられる単結晶成長装置の一例を模式的に示す断面図である(11;坩堝、16;結晶保持具、17;本体部、18;冷却部、M;原料融液、S;種結晶基板)。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT