擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法
- 開放特許情報番号
- L2011002264
- 開放特許情報登録日
- 2011/5/6
- 最新更新日
- 2012/8/21
基本情報
| 出願番号 | 特願2008-080893 |
|---|---|
| 出願日 | 2008/3/26 |
| 出願人 | 学校法人 中央大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2009/10/15 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 学校法人 中央大学 |
| 発明の名称 | 擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、機械・加工、有機材料 |
| 機能 | 制御・ソフトウェア |
| 適用製品 | レーザ光の波長を変換する波長変換デバイス。 |
| 目的 | さまざまな波長のレーザ光を高出力でかつ効率良く発生させることのできる擬似位相整合波長変換デバイスを容易に作製する方法を提供すること。 |
| 効果 | さまざまな波長のレーザ光を高出力でかつ効率良く発生させることのできる。また擬似位相整合波長変換デバイスを容易に作製できる。 |
技術概要) |
同じ結晶方位を持つＧａＡｓのプレート２１，２２を、真空チャンバー１１内に設置された第１及び第２の試料ホルダー１２，１３に、プレート面内の［００１］方向が互いに１８０°異なるように取付け、真空中にて、Ａｒビームをプレート２１，２２の表面２１ａ，２２ａに所定時間照射して、表面２１ａ，２２ａをエッチングして活性化処理した後、表面２１ａと表面２２ａとを常温にて密着させて接合し、プレート２１とプレート２２とを常温接合する。この動作を繰り返して、複数のプレートが、隣接するプレート同士の面内の［００１］方向が互いに１８０°異なるように接合されたＧａＡｓ波長変換デバイスを作製するようにした。 |
| イメージ図 | |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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