擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2011002264
開放特許情報登録日
2011/5/6
最新更新日
2012/8/21

基本情報

出願番号 特願2008-080893
出願日 2008/3/26
出願人 学校法人 中央大学
公開番号 特開2009-237081
公開日 2009/10/15
登録番号 特許第5036610号
特許権者 学校法人 中央大学
発明の名称 擬似位相整合波長変換デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子、機械・加工、有機材料
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 レーザ光の波長を変換する波長変換デバイス。
目的 さまざまな波長のレーザ光を高出力でかつ効率良く発生させることのできる擬似位相整合波長変換デバイスを容易に作製する方法を提供すること。
効果 さまざまな波長のレーザ光を高出力でかつ効率良く発生させることのできる。また擬似位相整合波長変換デバイスを容易に作製できる。
技術概要
同じ結晶方位を持つGaAsのプレート21,22を、真空チャンバー11内に設置された第1及び第2の試料ホルダー12,13に、プレート面内の[001]方向が互いに180°異なるように取付け、真空中にて、Arビームをプレート21,22の表面21a,22aに所定時間照射して、表面21a,22aをエッチングして活性化処理した後、表面21aと表面22aとを常温にて密着させて接合し、プレート21とプレート22とを常温接合する。この動作を繰り返して、複数のプレートが、隣接するプレート同士の面内の[001]方向が互いに180°異なるように接合されたGaAs波長変換デバイスを作製するようにした。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 中央大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT