半導体発光素子

開放特許情報番号
L2011002252
開放特許情報登録日
2011/5/6
最新更新日
2014/1/27

基本情報

出願番号 特願2009-201593
出願日 2009/9/1
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2011-054717
公開日 2011/3/17
登録番号 特許第5409210号
特許権者 学校法人金沢工業大学
発明の名称 半導体発光素子
技術分野 電気・電子、無機材料、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他
適用製品 深紫外光を発する半導体発光素子
目的 この発明は、深紫外光領域の発光特性が優れた半導体発光素子を提供する。
効果 この発明によれば、深紫外光領域の発光特性が優れた半導体発光素子を提供することができる。
技術概要
近年、窒化物半導体の開発が進歩しており、窒化物半導体材料のバンドギャップは、光の波長に換算して210nmから1.8umまでの広い領域をカバーすることができる。しかし、AlGaN発光層のAl組成を大きくしていくと、価電子帯のバンド交差が起こり、c軸に平行な電界の偏光で発光するようになるため、通常のc面基板上の発光ダイオード素子では素子表面からほとんど光が出てこなくなり、発光素子の特性が大きく悪化する、という問題があった。この発明の半導体発光素子10は、基板20と、基板20の上に結晶成長によって順に形成されたn型半導体層30、発光層40、p型半導体層50、n型半導体層30の上に設けられたn側電極60およびp型半導体層50の上に形成されたp側電極70を備える。基板20はAlN基板であり、基板面に垂直な方向に対してc軸が5°から15°傾斜した微傾斜基板、または基板表面に垂直な方向に対してc軸が40°から70°傾いた半極性基板である。発光層40は、n−Al↓0↓.↓8Ga↓0↓.↓2N層(量子井戸層)とAl↓0↓.↓9Ga↓0↓.↓1N層(バリア層)とが交互に3層ずつ積層された多重量子井戸構造(MQW)を有する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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