Siクラスレートの製造方法

開放特許情報番号
L2011002142
開放特許情報登録日
2011/4/22
最新更新日
2014/12/19

基本情報

出願番号 特願2011-091814
出願日 2011/4/18
出願人 国立大学法人岐阜大学
公開番号 特開2012-224488
公開日 2012/11/15
登録番号 特許第5626896号
特許権者 国立大学法人岐阜大学
発明の名称 Siクラスレートの製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 Siクラスレート
目的 ナトリウムを内包したII型のシリコンクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。
効果 均質で、Naの含有量が低減されたかあるいはNaが除去されたSiクラスレートを、安定して大量に製造することが可能となる。
シリコンウエハの表面に薄膜状のSiクラスレートを製造することが可能となる。
II型の構造を備えており、且つNaの含有量が低減されたかあるいはNaが除去されたSiクラスレートを、大量に製造することが可能となる。
反応に用いられるSiに対するNaのモル比が1.0よりも大きくなるようにNaを供給することにより、より安定的にSiクラスレートを製造することが可能となる。
技術概要
本発明のシリコンクラスレートの製造方法は、シリコンウエハとNaとを混合して650℃以上の温度で加熱し、SiとNaとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたSiとNaとからなる化合物を、10↑(−2)Pa以下の陰圧下で300℃以上450℃以下の温度により1時間以上加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Naは、シリコンクラスレートを生成するために用いられるSiに対するモル比が1.0よりも大きくなるように供給されることが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 Siクラスレートは、超伝導などの特性を示し、通常のダイヤモンド構造のシリコンに比べてワイドギャップになるなど近年注目されている。Naを内包するSiクラスレートはSiクラスレート合成後、内包するNaを除去することが可能であることが示されており、Na量を減らしたSiクラスレートは半導体的性質を有することから、太陽電地光吸収層用新材料などへの応用が期待される。通常のNa内包Siクラスレートは、ダイヤモンド構造を有するシリコン粉末とナトリウム片を熱処理することにより粉末状で合成されるが、均質かつ膜状のクラスレートの合成は困難であった。本発明では、シリコンウエハを用いることにより膜状のSiクラスレートが得られることを特徴としている。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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