透明導電性炭素膜の製造方法及び透明導電性炭素膜

開放特許情報番号
L2011001982
開放特許情報登録日
2011/4/8
最新更新日
2015/11/2

基本情報

出願番号 特願2011-041749
出願日 2011/2/28
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-162442
公開日 2012/8/30
登録番号 特許第5692794号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 透明導電性炭素膜の製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 透明導電性炭素膜
目的 熱CVDによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。
効果 従来の熱CVDによるグラフェン膜成膜の課題である、高温プロセスであり、かつプロセス時間が長いという問題を解決し、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成することが可能となる。また、本発明によるマイクロ波表面波プラズマCVD法は、従来法である熱CVD法に比べて、シリコン含有粗大粒子のグラフェンへの混入を低減でき、シリコンを含む不純物の偏析を抑制できる。
技術概要
基材温度を500℃以下、圧力を50Pa以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマCVD法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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