| 出願番号 |
特願2011-041749 |
| 出願日 |
2011/2/28 |
| 出願人 |
独立行政法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2012-162442 |
| 公開日 |
2012/8/30 |
| 登録番号 |
特許第5692794号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
透明導電性炭素膜の製造方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
透明導電性炭素膜 |
| 目的 |
熱ＣＶＤによるグラフェン膜成膜の高温プロセス、かつプロセス時間が長いという問題を解決すべく、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成する手法を提供する。 |
| 効果 |
従来の熱ＣＶＤによるグラフェン膜成膜の課題である、高温プロセスであり、かつプロセス時間が長いという問題を解決し、より低温で短時間にグラフェン膜による結晶性炭素膜を用いた透明導電性炭素膜を形成することが可能となる。また、本発明によるマイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法は、従来法である熱ＣＶＤ法に比べて、シリコン含有粗大粒子のグラフェンへの混入を低減でき、シリコンを含む不純物の偏析を抑制できる。 |
技術概要
 |
基材温度を５００℃以下、圧力を５０Ｐａ以下に設定し、かつ含炭素ガスと不活性ガスからなる混合ガスに基材表面の酸化を抑制するための酸化抑制剤を添加ガスとして加えたガス雰囲気中で、マイクロ波表面波プラズマＣＶＤ法により、銅又はアルミの薄膜の基材表面上に透明導電性炭素膜を堆積させる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)