パワー半導体モジュール

開放特許情報番号
L2011001958
開放特許情報登録日
2011/4/8
最新更新日
2015/10/30

基本情報

出願番号 特願2010-292460
出願日 2010/12/28
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-142351
公開日 2012/7/26
登録番号 特許第5709161号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 パワー半導体モジュール
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出、加熱・冷却
適用製品 パワー半導体モジュール
目的 複数のパワー半導体素子と保護回路部品の実装密度を高め、かつ浮遊インダクタンスを抑制した構造の、高信頼度のパワー半導体モジュールを提供する。
効果 リードフレームの一方の面にパワー半導体素子が直接電気接続され、保護回路素子が前記リードフレームの他方の面に直接電気接続されるので、リードフレームの両面を実装に利用でき、実装密度を高め小型化することができる。浮遊インダクタンスが減少し、サージ電圧を抑制することができる。個々のパワー半導体素子の動作状況を把握し、パワー半導体モジュールの故障を未然に防ぐことができる。パワー半導体モジュールの計測の高精度化を図れ、信頼性が向上する。
技術概要
リードフレーム51の一方の面に、パワー半導体素子1が直接電気接続され、これに対向するように、リードフレーム51の他方の面に、保護回路素子2が直接電気接続され、パワー半導体素子1を計測する温度センサ23、電流センサ32、電圧センサが、個々のパワー半導体素子に設置されている。電流センサ32は、パワー半導体素子1の電極に電気的に接続された電流端子3に設けられ、電流端子3はリードフレーム52に接続される。温度センサ23は、パワー半導体素子1と保護回路素子2と電流端子3とにより生じる空隙に配置される。
本発明のパワー半導体モジュールは、スイッチング電源、エアコン、無停電電源(UPS)、電気自動車やハイブリッド車のインバータ等に適用される。さらに、スマートグリッドを構成する各種電気機器のインバータ装置、スイッチング装置などにも好適に利用できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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