| 出願番号 |
特願2010-274161 |
| 出願日 |
2010/12/9 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2011-236112 |
| 公開日 |
2011/11/24 |
| 登録番号 |
特許第5740645号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
配向ペロブスカイト酸化物薄膜 |
| 技術分野 |
無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
配向ペロブスカイト酸化物薄膜、ペロブスカイト型配向多層膜、圧電体材料、（００１）配向ペロブスカイト型酸化物蛍光体薄膜、（００１）配向アナターゼ型酸化チタン薄膜を用いた光触媒材料 |
| 目的 |
近年の電子デバイスの高密度化に伴い、ディスプレイやエレクトロニクス材料中に用いられる電子材料の高性能化は緊急の課題となっている。ところが、従来のエキシマレーザを用いる塗布光照射法において薄膜の配向制御に関する技術については確立されたものはなかった。そこで、塗布光照射法等を用いてガラスや多結晶基板などの無配向基板であっても、基板上に高度に配向し高特性が期待できるペロブスカイト型酸化物薄膜を製造できるようにする新たな製造方法、及び、その配向積層薄膜材料を提供する。 |
| 効果 |
この技術は、従来不可能であったガラスや多結晶基板等の無配向基板上に低温で製造効率が良く、大量生産に適する、（００１）配向種結晶薄膜であるDion-Jacobsonペロブスカイト薄膜を製膜し、その上部に（００１）配向させた高特性の種々のペロブスカイト酸化物薄膜を得ることを可能とする。また、基板上に配向Dion-Jacobsonペロブスカイト型酸化物薄膜を設けることなく直接に各種ペロブスカイト型酸化物薄膜を形成した場合でも、良好な特性が期待できるペロブスカイト型酸化物薄膜やその積層薄膜材料を７００度以下のプロセス温度で形成できる。 |
技術概要
 |
無配向基板上に（００１）配向酸化物薄膜を形成する技術に関する。組成式Ａ（Ｂ↓ｎ↓−↓１Ｍ↓ｎＯ↓３↓ｎ↓＋↓１）（ｎ；２以上の自然数、Ａ；Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓより選ばれる１価カチオン、Ｂ；３価の希土類イオン及びＢｉ、２価のアルカリ土類金属イオン、１価のアルカリ金属イオンより選ばれる１種以上、Ｍ；Ｎｂ、Ｔａの１種以上、Ｔｉ、Ｚｒが固溶していてもよい。）で表されるDion-Jacobson相と呼ばれるペロブスカイト型金属酸化物を形成できる有機金属塩あるいはアルコキシド塩からなる薄膜又は非晶質薄膜を基板上に形成し、室温から６００℃の温度に保持し、基板上の非晶質薄膜又は有機金属塩あるいはアルコキシド塩からなる薄膜に紫外光を照射しつつ結晶化を行うことによって、基板上にＡカチオンが層状に規則配列する層状方向である（００１）方向に配向する配向Dion-Jacobsonペロブスカイト型酸化物薄膜の製造方法が提供される。図は、無アルカリガラス基板上に作製された（００１）配向ＲｂＬａＮｂ↓２Ｏ↓７薄膜のＸ線回折図。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)