高周波プラズマにより金属基板上へ形成した炭素系薄膜の密着性改善法

開放特許情報番号
L2011001848 この特許をより詳しくイメージできる、登録者からの説明資料をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2011/4/1
最新更新日
2011/4/1

基本情報

出願番号 特願2008-315705
出願日 2008/12/11
出願人 学校法人東京電機大学
公開番号 特開2010-138450
公開日 2010/6/24
発明の名称 ダイヤモンド状炭素膜の形成方法
技術分野 機械・加工、電気・電子
機能 表面処理、材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 切削工具・金型(表面加工)
目的 切削工具や金型の表面をコーティング。金属部材との密着性が高く、且つプロセス時間の増大が抑制されたダイヤモンド状炭素膜の形成方法を提供する。
効果 ダイヤモンド状炭素(DLC)膜は高硬度であり、耐摩擦性や耐腐食性に優れ、物理的・化学的に安定した特性を有する。このため、例えばDLC膜で切削工具や金型の表面をコーティングすることにより、製品寿命を延ばすことができる。
技術概要
 
金属部材の表面に水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理を行うステップと、水素プラズマ処理及び窒素プラズマ処理された表面上に、ダイヤモンド状炭素膜を形成するステップとを含むダイヤモンド状炭素膜の形成方法が提供される。金属部材との密着性が高く、且つプロセス時間の増大が抑制されたダイヤモンド状炭素膜の形成方法を提供できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 東京電機大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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