レジストの積層構造体およびレジストパターンの形成方法

開放特許情報番号
L2011001843 この特許をより詳しくイメージできる、登録者からの説明資料をご覧頂けます
開放特許情報登録日
2011/4/1
最新更新日
2014/2/26

基本情報

出願番号 特願2008-251615
出願日 2008/9/1
出願人 学校法人東京電機大学
公開番号 特開2010-061085
公開日 2010/3/18
登録番号 特許第5441148号
特許権者 学校法人東京電機大学
発明の名称 レジストの積層構造体およびレジストパターンの形成方法
技術分野 機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 マイクロ流体機器・マイクロ流路
目的 レジストの積層構造体およびレジストパターンの形成方法に関するものである。基板上に米国Microchem社製のネガ型レジストSU−8などの波長200〜410nmの遠紫外光〜短波長可視光に主たる感光波長帯を有するレジストを付し、該レジストを任意のパターン形状に露光したのち現像してパターン化し、めっき雌型やマイクロ流路として使用する。
効果 多品種少量生産のめっき雌型やマイクロ流体機器のマイクロ流路を短納期で安価に製作することができる。また、めっき雌型にニッケルなどの金属をめっきすれば、微細で複雑な形状のマイクロ金属部品を容易に短納期で安価に製作することができる。
技術概要
液晶パネルをレチクルの代替として、液晶パネル上に表示したパターンを投影レンズなどの投影光学系を介して投影露光する、液晶マトリックス投影露光法や、液晶パネルをマスクの代替として、被露光物に密着または近接させて露光する方法を利用して、レチクルやマスクなどの原図基板を用いずに、波長200〜410nmの遠紫外光〜短波長可視光に主たる感光波長帯を有するレジストのめっき雌型パターンやマイクロ流路パターンを高精度、高アスペクト比で簡便に形成することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 東京電機大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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