液浸露光用の液体及びパターン形成方法

開放特許情報番号
L2011001421
開放特許情報登録日
2011/3/11
最新更新日
2011/3/11

基本情報

出願番号 特願2008-196088
出願日 2008/7/30
出願人 パナソニック株式会社
公開番号 特開2008-270842
公開日 2008/11/6
登録番号 特許第4346674号
特許権者 パナソニック株式会社
発明の名称 液浸露光用の液体及びパターン形成方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 液浸露光用液体、液浸露光によるパターン形成方法、液浸リソグラフィを用いたパターン形成方法、パターンの形状不良の防止、レジストパターン、液浸リソグラフィ、半導体装置
目的 従来の液浸リソグラフィを用いたパターン形成方法は、限界解像度付近での露光によってレジストパターンの形状が不良となり、不良な形状のレジストパターンを用いてエッチングを行なうと、被エッチング膜に得られるパターンの形状も不良となってしまうため、半導体装置の製造プロセスにおける生産性及び歩留まりが低下してしまうという問題を生じる。そこで、液浸リソグラフィによる解像度をより向上させることにより、パターンの形状不良を防止する。
効果 この液浸露光用の液体及びパターン形成方法によると、レジスト膜上に配された液浸露光用の液体の屈折率の値を大きくすることができるため、露光レンズに負担を掛けることなく解像度を向上することができるので、良好な形状を有するレジストパターンを得ることができ、半導体装置の製造プロセス等において用いられる液浸露光によるパターンの形成方法等として有用である。
技術概要
この液浸露光用の液体203は、基板201の上に形成されたレジスト膜202と露光レンズ205との間に配され、開口数の値を高めるための液浸露光用の液体203で、液体は、溶媒に、極性が溶媒の極性よりも大きい、スルフォニル基又はラクトン基を有する極性高分子が添加されている。パターン形成方法は、基板201の上にレジスト膜202を形成し、レジスト膜202の上に、溶媒に極性が溶媒の極性よりも大きい、スルフォニル基又はラクトン基を有する極性高分子を添加した液体203を配した状態で、レジスト膜202に対して露光光204を選択的に照射することによりパターン露光を行ない、パターン露光が行なわれたレジスト膜に対して現像を行なってレジストパターンを形成する。スルフォニル基を有する高分子としてはポリスチレンスルフォン酸が、ラクトン基を有する高分子としてはポリメバロニックラクトンメタクリレートが好ましい。また、溶媒は水又はパーフルオロポリエーテルが好ましい。図(a)は液浸露光用の液体に添加されるポリアクリル酸の濃度と液体の屈折率との関係を、(b)は液浸露光用の液体に添加される化合物のうちカルボニル基又はスルフォニル基が液体中で分極する様子を示す模式的な断面図である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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