温度応答性配列を含むデプシペプチド構造と親水性高分子構造からなるブロック共重合体

開放特許情報番号
L2011001258
開放特許情報登録日
2011/3/4
最新更新日
2012/3/2

基本情報

出願番号 特願2007-274258
出願日 2007/10/22
出願人 国立大学法人群馬大学
公開番号 特開2009-102488
公開日 2009/5/14
登録番号 特許第4911523号
特許権者 国立大学法人群馬大学
発明の名称 温度応答性配列を含むデプシペプチド構造と親水性高分子構造からなるブロック共重合体
技術分野 化学・薬品、生活・文化
機能 材料・素材の製造
適用製品 温度応答性配列を含むデプシペプチド構造と親水性高分子構造からなるブロック共重合体
目的 疎水部に温度応答性配列を含むデプシペプチド構造を、親水部に親水性高分子構造を用いて、水または緩衝液中にて転移温度以下ではミセルを形成し、転移温度以上では凝集または相転移する、ブロック共重合体を提供する。
効果 ブロック共重合体を合成することで温度応答性組成物を得ることができる。この方法で得られた材料や組成物は薬物を内包しうるミセルを形成し、薬物を温度応答性に放出することが出来るため、生体内で分解吸収される組成物、土壌などの環境下で分解吸収される組成物、細胞接着剤、薬物運搬体、創傷被覆材料、人工筋肉、マイクロカプセル、バイオマシン、バイオセンサー、分離膜、検査キットなどを構成するのに利用できる。
技術概要
 
親水性高分子構造部分と温度応答性を示すデプシペプチド構造部分からなるブロック共重合体である。また、親水性高分子構造部分としてポリエチレングリコール鎖を有するブロック共重合体である。このブロック共重合体は、式I:Y↓1−(F↓1−F↓2−F↓3−F↓4−F↓5)↓n−Z−PEG、または式II:Y↓1−(F↓1−F↓2−F↓3−F↓4−F↓5−F↓6)↓n−Z−PEGで表される。式中、Y↓1はデプシペプチド構造部分の末端に結合した疎水性修飾基を表し、F↓1↓〜↓6はアミノ酸またはヒドロキシカルボン酸の残基を表し、式IではF↓1↓〜↓5の少なくとも1つ、式IIではF↓1↓〜↓6の少なくとも1つがヒドロキシカルボン酸残基を表し、nは2〜20の整数であり、PEGは一つまたは複数のポリエチレングリコール鎖を表し、Zはデプシペプチド構造部分とポリエチレングリコール構造を連結するスペーサー又は単結合を表す。また、ヒドロキシカルボン酸がバリン酸または乳酸である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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