半導体放射線検出器の製造方法

開放特許情報番号
L2011001127
開放特許情報登録日
2011/2/25
最新更新日
2011/2/25

基本情報

出願番号 特願2007-276652
出願日 2007/10/24
出願人 財団法人名古屋産業科学研究所
公開番号 特開2008-072136
公開日 2008/3/27
登録番号 特許第4107616号
特許権者 財団法人名古屋産業科学研究所
発明の名称 半導体放射線検出器の製造方法
技術分野 情報・通信、電気・電子、生活・文化
機能 検査・検出、機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 医療用放射線診断装置、工業用X線検査装置、理学用X線解析装置
目的 この発明は、放射線検出性能が良好で、十分な強度を備えると共に大面積とすることが容易である半導体放射線検出器を安価に製造できる製造方法を提供する。
効果 この発明によれば、Si基板表面上にGaAs粉末あるいはGaAs結晶を熱分解させて2価の砒素を付着させることにより、Si基板上にCdTeあるいはCdZnTe成長層をMOVPE法によって強固に積層させることができる。そのため、本発明によれば、従来非常に困難であったMOVPE法によってSi基板上に、十分な接着強度と良好な結晶性を確保しつつCdTe成長層を形成することが可能になった。
技術概要
従来、医療用放射線診断装置、工業用X線検査装置などの半導体放射線検出器としては、放射線検出用材料として優れたテルル化カドミウム(CdTe)あるいはテルル化亜鉛カドミウム(CdZnTe)の高抵抗バルク結晶が用いるか、または、CdTe結晶とInAs薄膜のヘテロ接合が用いられていた。しかし、いずれの場合も高価であり、大面積の素子が得られないなどの欠点を有していた。この発明の半導体放射線検出器は、低抵抗のN型のSi基板が高温還元雰囲気中に置かれた状態で、GaAs粉末あるいはGaAs結晶を分解してSi基板上に砒素を付着させ、砒素被覆層を形成する。砒素被覆層の形成されたSi基板上に、MOVPE法により高抵抗のP型のCdTe成長層が積層形成される。CdTe成長層の表面には電極が、Si基板の裏面には共通電極が形成される。この製造方法によると、放射線検出性能が良好で、十分な強度を備えると共に大面積とすることが容易な半導体放射線検出器を安価に製造することができる。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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