飛跡認識装置および飛跡認識方法

開放特許情報番号
L2011001094
開放特許情報登録日
2011/2/25
最新更新日
2012/11/23

基本情報

出願番号 特願2008-271659
出願日 2008/10/22
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2010-101676
公開日 2010/5/6
登録番号 特許第5099641号
特許権者 国立大学法人名古屋大学
発明の名称 飛跡認識装置および飛跡認識方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、検査・検出
適用製品 画像取り込み部、原子核乾板、断層画像、並列認識部
目的 宇宙線や原子核反応の荷電素粒子の飛跡を記録し、その特性を解析研究する場合に用いられる、感材層内に形成された荷電粒子の飛跡を認識する装置の提供。
効果 この技術では、撮像手段が撮像面に沿って配置された複数の撮像素子を備え、隣接する撮像素子の視野の間の間隔が、1つの撮像素子の視野の幅よりも小さくなるように配置されているから、感材層の広範な範囲を短時間で網羅的に撮像することができ、断層画像の取り込みに要する時間を大幅に短縮することができる。
技術概要
この技術の飛跡認識装置は、焦点面の深さを変えながら感材層を連続的に撮像して、複数の断層画像を取得する撮像手段と、複数の断層画像を飛跡の角度に応じたシフト量でシフトさせながら重ね合わせて、飛跡の存在を示す指標の分布を取得する指標算出手段と、飛跡の角度毎の飛跡の存在を示す指標の分布に基づいて、感材層における飛跡の位置と角度を特定する特定手段と、撮像面に沿った方向の感材層と撮像手段の相対的な位置関係を調整する位置調整手段を備えている。撮像手段は、撮像面に沿って配置された複数の撮像素子を備えており、隣接する撮像素子の視野の間の間隔が、撮像素子の視野の幅よりも小さくなるように配置されている。そして、撮像手段が複数の断層画像を取得した後に、位置調整手段が、新たな視野が直前に撮像した視野の間の領域を含むように、感材層と撮像手段の相対的な位置関係を調整している。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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