カーボンナノチューブを用いた電界効果トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011001086
開放特許情報登録日
2011/2/25
最新更新日
2011/2/25

基本情報

出願番号 特願2008-076673
出願日 2008/3/24
出願人 国立大学法人名古屋大学
公開番号 特開2009-231631
公開日 2009/10/8
発明の名称 カーボンナノチューブを用いた電界効果トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 薄型テレビ、フレキシブルディスプレイ、有機薄膜、薄膜トランジスタ
目的 成長基板のチャネル領域からも、カーボンナノチューブを成長させることで、チャネルに多くのカーボンナノチューブの連鎖を形成して、ソースとドレイ間を架橋する構造を提供すると共に、この架橋経路において、少なくとも一つの半導体導電性カーボンナノチューブが介在する確率を高くすることで、ソース、ドレイン間のリーク電流を減少させると共に、負荷電流を大きくすることができる構造の実現。
効果 この技術によれば、ソースとドレイン間のチャネルをカーボンナノチューブとした電界効果トランジスタにおいて、チャネル下の基板面上から成長した多数のカーボンナノチューブが、連鎖して、ソースとドレイン間を架橋し、実質上、多数の架橋経路のそれぞれの経路には、半導体導電性カーボンナノチューブが存在するようにしている。このため、ゲートオフ時のソースとドレイン間の抵抗が高くなり、チャネルのオフ抵抗を高くすることができ、トランジスタの遮断特性を良好にすることができる。
技術概要
この技術は、ソースとドレイン間のチャネルをカーボンナノチューブとした電界効果トランジスタにおいて、チャネル下の基板面上から成長した多数のカーボンナノチューブが連鎖して、ソースとドレイン間を架橋し、実質上、多数の架橋経路のそれぞれの経路には、半導体導電性カーボンナノチューブが存在している電界効果トランジスタを提供する。また、この技術では、チャネルのカーボンナノチューブは、チャネル下の基板面上の触媒膜又は触媒微粒子を触媒として、成長させている。通常は、基板面上に、触媒膜又は触媒微粒子を形成して、これを触媒にしてカーボンナノチューブを成長させる。触媒には、通常は、遷移金属が用いられるが、カーボンナノチューブの成長に触媒となり得るものであれば任意である。更に、この技術では、半導体導電性カーボンナノチューブは、架橋経路上における複数の金属導電性カーボンナノチューブの連鎖を遮断するように該金属導電性カーボンナノチューブと連鎖して存在している。この構造により、ソースとドレイン間を流れる短絡電流を減少させることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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