高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置

開放特許情報番号
L2011001022
開放特許情報登録日
2011/2/25
最新更新日
2013/8/28

基本情報

出願番号 特願2008-198872
出願日 2008/7/31
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2010-040594
公開日 2010/2/18
登録番号 特許第5283216号
特許権者 国立大学法人静岡大学
発明の名称 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 量産性、3次元画像化システム、ディジタル的な尺度、距離画像センサ
目的 一般的に利用されている埋め込みフォトダイオードの構造(形状)では、高速な電荷転送ができず、特に微小な光の遅れ時間を検出しなければならないTOF法により距離画像センサには利用しにくいという不都合があることに鑑み、電荷転送方向の電界分布をできるだけ広い範囲にわたって一定で大きな値となるような形状した高速電荷転送フォトダイオードの提供。
効果 電荷転送方向の電界分布をできるだけ広い範囲にわたって一定で大きな値となるような形状した高速電荷転送フォトダイオード、この高速電荷転送フォトダイオードを有するロックインピクセル、及びこのロックインピクセルをセンサ要素(画素)として用いた固体撮像装置(ロックインイメージセンサ)を得ることができる。
技術概要
この技術は、電荷生成領域として機能する第1導電型半導体層と、この半導体層の上部の一部に選択的に埋め込まれ、電荷生成領域で生成された電荷の電荷転送領域として機能する第2導電型表面埋込領域とを備えるフォトダイオードとする。そして、このフォトダイオードは、半導体層の表面に平行な面内において定義された表面埋込領域の特定方向を電荷の電荷転送方向とし、この電荷転送方向に対し垂直方向に測った表面埋込領域の幅の変化、及び電荷転送方向に沿った表面埋込領域の不純物密度分布の少なくとも一方が、電荷転送方向の電界分布を一定にするように設定されている。高速電荷転送フォトダイオードは、TOF距離画像センサ以外に、染色した生体細胞からの蛍光や蛍光寿命を測定するバイオイメージング用固体撮像装置、或いは、各種の計測を行う時間相関イメージセンサ等の種々の固体撮像装置に適用可能である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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