出願番号 |
特願2004-005665 |
出願日 |
2004/1/13 |
出願人 |
国立大学法人 名古屋工業大学 |
公開番号 |
特開2005-203433 |
公開日 |
2005/7/28 |
登録番号 |
特許第4324668号 |
特許権者 |
国立大学法人 名古屋工業大学 |
発明の名称 |
微細配線の作製方法並びに該微細配線を備えた電子部品 |
技術分野 |
電気・電子、機械・加工、化学・薬品 |
機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造、その他 |
適用製品 |
超高集積半導体デバイス等の超小型電子部品 |
目的 |
この発明は、基材上にナノサイズの微細配線を作製する方法を提供する。 |
効果 |
この発明によれば、ポリペプチド薄膜を形成することにより、特に配線幅が狭く(例えば1〜50nm)、整然と配置されたナノサイズの微細配線を作製することができる。 |
技術概要
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近年、電子情報機器の小型化及び高性能化に伴い、そのような機器に使用され得る電子部品として、従来より更に小型で高集積なものが要求されている。この要求から、より微細な配線を形成するため、レジスト材料を電子線等で露光するリソグラフィー技術の改良の他、インクジェットプリンティング技術の応用が考えられている。しかし、現状のリソグラフィー技術により形成される配線幅はせいぜい0.1μm程度が限界とされており、例えば1〜100nm程度のナノサイズの配線幅を実現することは困難であった。この発明の微細配線作製方法は、親水性部分22と疎水性部分24A,24Bとが軸方向に少なくとも一つずつ形成されている両親媒性の線状ポリペプチド20を用意する工程と、所定の基材の表面に、ポリペプチドが規則的に配列して成るポリペプチド薄膜50Aを形成する工程と、そのポリペプチド薄膜に疎水基を備えた導電性微粒子40を供給し、疎水基を介してポリペプチド薄膜の疎水性部分に導電性微粒子を付加する工程と、ポリペプチド及び導電性微粒子の疎水基を消失させ、ポリペプチドの規則的配列パターンに対応した導電性微粒子から成る微細配線を形成する工程とを包含する。 |
イメージ図 |
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実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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