フォトレジスト除去方法

開放特許情報番号
L2011000925
開放特許情報登録日
2011/2/18
最新更新日
2012/7/27

基本情報

出願番号 特願2007-154758
出願日 2007/6/12
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2008-311257
公開日 2008/12/25
登録番号 特許第5006112号
特許権者 国立大学法人 筑波大学
発明の名称 フォトレジスト除去方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品、その他
機能 接着・剥離、表面処理、環境・リサイクル対策
適用製品 半導体製造工程におけるドライエッチング処理及び高電流イオン注入処理が施されたフォトレジストの除去、濃硫酸の除去工程
目的 この発明は、基板表面に残存付着するフェノール樹脂から成るレジストを、基板自体に損傷を与えることなく、速い剥離速度で効果的に剥離する方法を提供する。
効果 この発明によれば、従来行われていた濃硫酸による洗浄効果に匹敵する効率を実現出来ることから、濃硫酸による洗浄の代替技術としての、高濃度オゾン水洗浄を実用化できる。
技術概要
従来、半導体製造工程において、シリコン基板等の表面に残存付着する不要となったフォトレジストを除去するレジスト除去工程では、酸素を含むプラズマによってフォトレジストをアッシャー化する手段や、濃硫酸等の溶剤や薬品等を用いてレジストを溶解させる方法等が用いられていた。しかし、レジストの除去にアッシャー化法を用いると、プラズマによる半導体基板へのダメージを与える恐れがあることに加え、無機系の不純物を除去することはできず、また、溶剤や薬品を用いてレジスト除去を行う場合は、大量の廃液が生じ、廃液処理の際にもコスト面及び環境面の両面で大きな問題となっていた。この発明のレジスト除去方法は、ノボラック樹脂系フォトレジストが残存付着している基板の表面に、高濃度オゾン水を注水するとともに、紫外光を照射することによって、紫外光が、高濃度オゾン水のオゾンの一部からOHラジカルを生成し、この生成されたOHラジカルが、フォトレジストをポリフェノール化し、ポリフェノール化されたフォトレジストを高濃度オゾン水の残存オゾンが反応して断片化し、基板表面から剥離する。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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