フォトレジスト除去装置

開放特許情報番号
L2011000924
開放特許情報登録日
2011/2/18
最新更新日
2012/7/27

基本情報

出願番号 特願2007-154757
出願日 2007/6/12
出願人 国立大学法人 筑波大学
公開番号 特開2008-311256
公開日 2008/12/25
登録番号 特許第5006111号
特許権者 国立大学法人 筑波大学
発明の名称 フォトレジスト除去装置
技術分野 化学・薬品、電気・電子、その他
機能 接着・剥離、表面処理、環境・リサイクル対策
適用製品 半導体製造工程におけるドライエッチング処理及び反応性イオン注入処理が施されたフォトレジストの除去、濃硫酸の除去工程
目的 この発明は、半導体基板に残存したレジストを基板表面全体に均一に、損傷を与えることなく、単位体積当りのオゾン水のフォトレジストへの反応効率を上げて効果的に剥離、除去する装置を提供する。
効果 この発明によれば、単位体積当りのオゾン水のフォトレジストへの反応効率を上げることができ、従来行われていた濃硫酸による洗浄効果に匹敵する効率を実現できる。従って、従来の濃硫酸による洗浄の代替技術としての、高濃度オゾン水洗浄の実用化が可能である。
技術概要
従来、半導体製造工程において、シリコン基板表面に残存する不要となったフォトレジストを除去するレジスト除去工程では、酸素を含むプラズマによってフォトレジストをアッシャー化する手段や、濃硫酸等の溶剤や薬品等を用いてレジストを溶解させる方法等が用いられていた。しかし、レジストの除去にアッシャー化法を用いると、プラズマによる基板へのダメージを与える恐れがあり、無機系の不純物を除去することはできない。また、溶剤や薬品を用いてレジスト除去を行う場合は、廃液処理のコスト面及び環境面が問題となっていた。この発明のフォトレジスト除去装置は、回転支持台と、洗浄ノズルと、高濃度オゾン水供給装置とを備え、洗浄ノズルは、高濃度オゾン水を注水する円筒管と、円筒管の下端に取り付けられた透明円盤とを有し、透明円盤は、回転支持台に支持された基板に対して一定の隙間を介して対向するように配置されており、円筒管から注水される高濃度オゾン水を、基板表面において厚さの均一な薄液膜として放射方向に流しながらエキシマー光照射源からのエキシマー光を透明円盤を透過させて基板表面に照射することにより、基板表面に残存しているフォトレジストを除去する装置である。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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