放電加工用多孔質銅電極並びに放電加工用多孔質銅電極の製造方法

開放特許情報番号
L2011000895
開放特許情報登録日
2011/2/18
最新更新日
2011/2/18

基本情報

出願番号 特願2008-514523
出願日 2007/5/10
出願人 国立大学法人長岡技術科学大学
公開番号 WO2007/129749
公開日 2007/11/15
発明の名称 放電加工用多孔質銅電極並びに放電加工用多孔質銅電極の製造方法
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 放電加工用多孔質銅電極
目的 飛躍した性能を多孔質電極に付加するために、多孔質電極に添加物質を加えて、熱電子放射と電界放射を活発ならしめることにより、大きな加工速度と小さな電極消耗を実現させる。
効果 著しい加工速度の増大及び電極消耗の減少が実現できる画期的な放電加工用多孔質銅電極並びにその製造方法である。
技術概要
金属材料、導電性セラミック材料、非導電性セラミック材料若しくは半導体材料の放電加工に用いる電極であって、銅粉と、粉体状の高融点材料である炭素・W若しくはMO、又は金属の酸化物であるCu↓2O・CuO・BaO若しくはSrO、又は硼化物であるCaB↓6若しくはNdB↓6、又は炭化物であるWC・TaC・TiC・ZrC若しくはMoCの粉末の一種類または複数種類の添加物質とを有する多孔質銅電極材料で構成し、銅粉に添加物質を混合して加圧成型して多孔質の状態で焼結することで製造する多孔質銅電極材料の多孔質度は、金属状態の銅を100とした場合、相対密度を70以上90以下の範囲に設定し、銅粉に対する添加物質の混合割合は、質量比20%以下0.1%以上の範囲に設定した放電加工用多孔質銅電極である。セラミックスは、窒化ケイ素やアルミナのような非導電性のものの他、導電性をもつセラミックス、例えばタングステンカーバイド焼結合金やTiC、TaCなどを含む。また半導体物質としてSiC等も加工の対称として含まれる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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