硬質窒化炭素膜の形成方法

開放特許情報番号
L2011000836
開放特許情報登録日
2011/2/18
最新更新日
2011/2/18

基本情報

出願番号 特願2005-069186
出願日 2005/3/11
出願人 国立大学法人長岡技術科学大学
公開番号 特開2006-249522
公開日 2006/9/21
登録番号 特許第4182224号
特許権者 国立大学法人長岡技術科学大学
発明の名称 硬質窒化炭素膜の形成方法
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 硬質窒化炭素膜
目的 大規模で高価な設備を必要とせずに、基板上に硬度が高く表面が平滑で均質な硬質窒化炭素膜を効率良く形成する方法を提供する。
効果 従来技術では生成させることがきわめて困難であった、硬度が20〜60GPa程度、特に45〜60GPa程度で、窒素含有率が原子数比で20〜50%程度の硬質窒化炭素膜を基板の表面に効率良く、低コストで生成させることが可能となった。大規模で高価な設備を必要とせずに、基板上に硬度が高く表面が平滑で均質な硬質窒化炭素膜を効率良く形成可能であり、実用的価値が極めて高いものである。
技術概要
シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し基板上に窒化炭素膜を形成する際に、基板にパルス周期が10〜10000秒の高周波パルスをon/off比50/50〜80/20で印加する硬質窒化炭素膜の形成方法である。基板の温度を0〜100℃に維持する。高周波パルスバイアス電圧が−50〜−200Vである。原料ガスはシアン化合物と不活性ガスとの混合ガスである。基板はシリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素から選択された表面を有するものである。硬質窒化炭素膜の硬度は、20〜60GPaである。硬質窒化炭素膜の窒素含有率は、原子数比で20〜50%である。プラズマ発生手段として直流、交流、高周波、マイクロ波、ECRのいずれかを使用し、圧力10↑−↑4〜1Torrでプラズマを発生させる。この装置では、減圧にされた反応室8内の基板ステージ12上に載置された基板11上で、シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し、基板11上に硬質窒化炭素膜を形成するものである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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