太陽電池、センサ、ダイオード及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011000832
開放特許情報登録日
2011/2/18
最新更新日
2013/3/18

基本情報

出願番号 特願2009-080343
出願日 2009/3/27
出願人 国立大学法人 琉球大学
公開番号 特開2010-232541
公開日 2010/10/14
登録番号 特許第5177686号
特許権者 国立大学法人 琉球大学
発明の名称 太陽電池、センサ、ダイオード及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 太陽電池、センサ、ダイオード
目的 ナノチューブを用いることにより光電変換の効率が高く、かつ、大面積化が可能である、太陽電池を提供する。
効果 太陽電池を構成するダイオードのキャリアの移動度が高いので、太陽電池の光電変換効率を高めることができる。また、ダイオードが占める面積を少なくして太陽電池の集積度を高めることができる。これにより、太陽電池のセルの小型化を図ることができる。さらに、基板の材料にガラスやプラスチック等を使用すれば、太陽電池の大面積化を図ることが可能になる。
技術概要
ダイオードを含んで成る太陽電池10であり、基板1上に形成され、n型不純物が導入されている多結晶シリコン層3と、一端が多結晶シリコン層3に接続され、多結晶シリコン層3の各シリコン粒子から伸びて形成されたナノチューブ4を含み、ナノチューブ4の他端側の部分4pに、多結晶シリコン層3とは逆導電型のp型不純物が導入されており、多結晶シリコン層3と、ナノチューブ4の他端側の部分4pにより、ダイオードの不純物領域が構成されている太陽電池10を構成する。基板上のダイオードの全体の厚さが3μm以下である。ダイオードを含んで成るセンサは、基板上に形成され、p型不純物又はn型不純物が導入されている多結晶シリコン層と、一端が多結晶シリコン層に接続され、多結晶シリコン層の各シリコン粒子から伸びて形成されたナノチューブを含み、ナノチューブの他端側の部分に、多結晶シリコン層とは逆導電型の不純物が導入されており、多結晶シリコン層と、ナノチューブの他端側の部分により、ダイオードの不純物領域が構成されている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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