ナノクリスタル構造体、ナノクリスタル構造体製法、および非線形抵抗素子

開放特許情報番号
L2011000790
開放特許情報登録日
2011/2/18
最新更新日
2011/2/18

基本情報

出願番号 特願2002-055458
出願日 2002/3/1
出願人 国立大学法人 琉球大学
公開番号 特開2003-251600
公開日 2003/9/9
登録番号 特許第3867135号
特許権者 国立大学法人 琉球大学
発明の名称 ナノクリスタル構造体、ナノクリスタル構造体製法、および非線形抵抗素子
技術分野 電気・電子、機械・加工
機能 材料・素材の製造
適用製品 ナノクリスタル構造体、および非線形抵抗素子
目的 バリスタ材料として使用し得る非線形抵抗特性が顕著に優れ、かつ、薄膜およびバルクの両状態において非線形抵抗特性が顕著に優れた新たなナノクリスタル構造体(ナノクリスタルが分散している金属化合物)、およびその製法を提供する。さらには、このナノクリスタル構造体を利用する非線形抵抗素子を提供する。また、従来の熱電変換材料では、熱電能やパワーファクターが十分高い材料の種類は限られていた。さらに、このナノクリスタル構造体を利用する熱電変換素子を提供する。
効果 非線形抵抗特性が顕著に優れ、さらに、薄膜およびバルクの両状態において非線形抵抗特性が顕著に優れたナノクリスタル構造体を簡易かつ簡便に提供することができる。
技術概要
2価を取り得る元素(X)―シリコン(Si)非晶質母体中に多数のXSi↓2結晶粒を均一に析出させ、析出させたXSi↓2結晶粒の夫々の少なくとも一部をパーコレーションさせ、さらに、母体中にSi結晶を均一に分散させるのに十分な熱処理を施すことよって、非線形抵抗特性を持たせた、ナノクリスタル構造体である。また、ナノクリスタル構造体は、XSi↓2結晶粒の平均粒径がナノメータオーダである。さらに好適には、XSi↓2結晶粒の平均粒径がほぼ15nm以下、さらに好適にはほぼ10nm程度である。また、このナノクリスタル構造体をバリスタ材料として用いる非線形抵抗素子である。図1は、ナノクリスタル構造体を作製する製法の基本的な工程を示すブロック図である。図2は、図1の非晶質母体(Cr↓1↓5Si↓8↓5)がナノクリスタル構造体へ変化する際の抵抗および熱電能の変化を示すグラフである。図3は、非晶質母体(Cr↓1↓5Si↓8↓5)に対して最高温度約1000Kの焼き鈍し処理を連続6回繰り返したときの比抵抗の変化(比抵抗の温度依存性)を示すグラフである。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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