3次元集積回路装置及びその製造方法

開放特許情報番号
L2011000788
開放特許情報登録日
2011/2/18
最新更新日
2013/6/18

基本情報

出願番号 特願2010-125040
出願日 2010/5/31
出願人 国立大学法人 琉球大学
公開番号 特開2010-226131
公開日 2010/10/7
登録番号 特許第5263747号
特許権者 国立大学法人 琉球大学
発明の名称 3次元集積回路装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 3次元集積回路装置
目的 ガラス基板上に薄膜半導体層を形成した3次元集積回路装置を提供する。
効果 高速に動作する高性能の能動素子を有し、高密度に集積された集積回路装置を実現することが可能になる。
技術概要
ガラス基板11上に、単結晶もしくは準単結晶の薄膜半導体層13、16が、層間絶縁層14を介して2層積層され、2層の薄膜半導体層13、16は、下層の第1層の薄膜半導体層13と、上層の第2層の薄膜半導体層16とが、異なる材料であり、2層の薄膜半導体層が、層間絶縁層14に形成された開口内を埋めて形成された、エピタキシャル層15によって接続され、エピタキシャル層15の表面部は、第2層の薄膜半導体層16と同じ材料の層であり、第1層の薄膜半導体層13及び第2層の薄膜半導体層16のうち、1層以上の薄膜半導体層に能動素子Tr21、Tr22が形成されている3次元集積回路装置10である。第1層の薄膜半導体層の材料がSiであり、第2層の薄膜半導体層の材料がGeである。この製造方法によれば、アモルファスの第2層の薄膜半導体層の結晶化過程において、半導体エピタキシャル層を種として、横方向(膜面方向)に溶融結晶化が生じ、第2層の薄膜半導体層を良好な状態の単結晶もしくは準単結晶とすることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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