ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子

開放特許情報番号
L2011000780
開放特許情報登録日
2011/2/18
最新更新日
2015/10/1

基本情報

出願番号 特願2010-264199
出願日 2010/11/26
出願人 独立行政法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2012-114373
公開日 2012/6/14
登録番号 特許第5633804号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 ペロブスカイト型の複合酸化物をチャンネル層とする電界効果トランジスタ及びその製造方法と、これを利用したメモリ素子
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア、その他
適用製品 希土類元素の複合酸化物の単結晶薄膜を備えた電界効果トランジスタ素子と、該電界効果トランジスタ素子をスイッチング素子として利用したメモリ素子
目的 電気二重層法を用いて強相関電子材料のチャンネルに高濃度の電荷注入を行うことで抵抗を変化させるFETと、該FETをスイッチング素子として利用したメモリ素子を提供する。
効果 本発明にかかるFETによれば、メモリ機能を備えた高性能のFETを提供することが可能である。
また、電気二重層法を用いてチャンネル層に電荷注入を行う構成にすることによって、更に高感度のスイッチング素子として利用することができる。
技術概要
化学式Ca↓(1−x)Ce↓xMnO↓3(但し、xは0≦x<1を満たす実数である)で表される複合酸化物からなる単結晶膜をチャンネル層として備える、電界効果トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT