無接点マイクロリレー

開放特許情報番号
L2011000743
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2008-538721
出願日 2007/10/2
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2008/044665
公開日 2008/4/17
登録番号 特許第5266472号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 無接点マイクロリレー
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 MEMS、機械要素部品、センサー、アクチュエータ
目的 MEMSのネックの一つであったリレーの無接点化とその微細加工の必要性を無くした無接点マイクロリレーの提供。
効果 本技術の素子は半導体デバイスではなく、強相関電子系デバイスである。つまり、半導体のように熱励起されて発生した少数キャリアによる伝導ではなく、電極から注入された多数キャリアの電子による金属伝導である。オフ状態は不純物を添加しない絶縁性膜による絶縁状態である。そのためにオン・オフ抵抗比は6桁以上になり、機械式接点リレーに匹敵するスイッチング特性が得られる。
技術概要
この技術では、機械式接点リレーに匹敵するスイッチング特性が固体素子によって得られることを知見し、これを利用して以下に示す無接点マイクロリレーを開発した。即ち、無接点マイクロリレーは、入力端子における電圧変化によって生じるリレー端子のON−OFFにより出力端子からの電力をON−OFFするマイクロリレーであって、リレー端子が、導電性基板上に絶縁性材料により形成された垂直ナノ構造を有する絶縁性膜と、その絶縁性膜表面に形成した電極とにより構成されたリレー素子である。又、無接点マイクロリレーにおいて、リレー素子は、アルミニウムを導電性基板とし、その表面に酸化アルミニウムの垂直ナノ構造を有する絶縁性膜が形成され、その絶縁性膜の表面に蒸着電極が設けられてなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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