強誘電体単結晶に形成された分極反転領域を固定化する方法、および、それを用いた光学素子

開放特許情報番号
L2011000734
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2016/6/1

基本情報

出願番号 特願2008-506241
出願日 2007/3/5
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2007/108339
公開日 2007/9/27
発明の名称 強誘電体単結晶に形成された分極反転領域を固定化する方法、および、それを用いた光学素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 強誘電体単結晶、分極反転構造、ニオブ酸リチウム単結晶
目的 強誘電体単結晶に形成された分極反転領域を容易に固定化する方法の提供。
効果 本技術によれば、一旦分極反転された分極反転領域は、結晶性の悪い強誘電体単結晶においては、再度分極反転をすることができない(すなわち、バックスイッチ現象を生じない)。したがって、一旦形成された分極反転領域を、バックスイッチ現象を生じすることなく固定化させることができる。
技術概要
本技術による強誘電体単結晶に形成された分極反転領域を固定化する方法は、分極反転領域が形成された強誘電体単結晶にイオンビームまたは中性ビームのいずれかのビームを照射するステップを包含する。強誘電体単結晶は、分極方向に垂直な第1の面と、第1の面に対向する第2の面とを有し、照射するステップは、分極反転領域が第1の面から第2の面まで貫通している場合には、第1の面および第2の面の少なくともいずれか一方にビームを照射し、分極反転領域が第1の面から第2の面まで貫通していない場合には、第1の面にビームを照射し得る。又、強誘電体単結晶は、実質的に定比組成のタンタル酸リチウム単結晶または実質的に定比組成のニオブ酸リチウム単結晶であり得る。又、光学素子は、分極反転領域に接する停止層を有し、停止層は、強誘電体単結晶の格子点の秩序性よりも低い秩序性を有し得る。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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