有機電界効果トランジスタ

開放特許情報番号
L2011000728
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2008-321975
出願日 2008/12/18
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-147210
公開日 2010/7/1
登録番号 特許第5429848号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 有機電界効果トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 トップコンタクト構造(TC)、ボトムコンタクト構造(BC)
目的 基板上にソース電極とドレイン電極が設けられ、これら基板、ソース電極及びドレイン電極の上に有機半導体層が設けられてなる有機電界効果トランジスタの提供。
効果 本技術によれば、S/D電極が絶縁層に埋め込まれたボトムゲート・ボトムコンタクト型OFETと比較して、S/D電極が基板に埋め込まれたトップゲート構造・ボトムコンタクトアーキテクチャーの場合、絶縁層として超薄膜ゲート絶縁層を用いることができる。これにより、超薄膜ゲート絶縁層の利点を全て活用することができる利点がある。
技術概要
本技術の有機電界効果トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極が基板に埋め込まれてなることを特徴とし、有機電界効果トランジスタにおいて、基板にはソース電極及びドレイン電極のそれぞれの設置個所に凹所が形成され、凹所内にソース電極及びドレイン電極が設置されてなり、凹所の両側壁が上部に向かうほど開くように傾斜させてある。例えば、トップゲート/ボトムコンタクト型OFETにおいて、基板、ゲート絶縁膜、ゲート電極、有機物半導体、ソース電極、ドレイン電極を有する。また、基板に形成された溝状の凹部は、ソース電極とドレイン電極を埋め込む為のものである。そして、ゲート電極の構造は、ゲート電極とソース電極の間の寄生容量、ならびにゲート電極とドレイン電極の間の寄生容量を減少させる。又、凹部の左右側壁は、上方ほど間隔が開くように、その底面に対して傾斜させてある。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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