半導体材料とその製造方法

開放特許情報番号
L2011000702
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2008-225702
出願日 2008/9/3
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-045319
公開日 2010/2/25
登録番号 特許第5126845号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 半導体材料とその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 アモルファスBN薄膜、プラズマCVD、熱CVD
目的 レーザなどの紫外光源を用いたプロセスによりsp↑3−結合性BN多形(sp↑3−結合性nH−BN;n=2以上の自然数)薄膜でかつ半導体特性を持つものを作製することを可能にする新たな手法、得られる材料、及びその電子デバイスへの応用の提供。
効果 本技術によれば、従来不可能であった、BN薄膜による半導体材料を実現することができる。
技術概要
 
この技術では、薄膜がBNはsp↑3−結合性nH−BN(nは2以上の自然数)であることを特徴とするものであり、本技術の半導体材料の製造方法では、半導体基板にアモルファスBN薄膜が形成してある前駆体の薄膜方面に紫外光を照射して、薄膜をsp↑3−結合性nH−BN(nは2以上の自然数)に変性する。即ち、基板としては、Siを用いると、p型半導体BNが得られ、Cを含む材質(グラファイト、B4Cなど)等を用いると、n型半導体BNが得られる。ここで、BNはsp↑3−結合性nH−BN(nは2以上の自然数)というBN高密度相の多形である。基板上に作製されたアモルファスBN薄膜を、光導入用光学窓を持つ合成チャンバーに設置し、チャンバー内雰囲気を不活性ガス(Arなど)、又は、不活性ガスにNH↓3ガスなどを混入したもので満たし、チャンバー外から光学窓を通して紫外光(代表的にはArFレーザ光:波長193nm)を薄膜表面に照射する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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