磁性薄膜素子

開放特許情報番号
L2011000700
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2008-219619
出願日 2008/8/28
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-056288
公開日 2010/3/11
登録番号 特許第5120950号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 磁性薄膜素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 強磁性金属層、常磁性金属層、薄膜の面直方向磁気抵抗効果
目的 従来不可能とされていた電気抵抗×面積が0.3Ω・μm↑2、かつ磁気抵抗変化率が5%以上となる磁性薄膜素子の提供。
効果 本技術によれば、電気抵抗×面積が0.3Ω・μm↑2以下、かつ磁気抵抗変化率が5%以上となる磁性薄膜素子を実現することができる。
技術概要
本技術の磁性薄膜素子は、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてある。又、薄膜の常磁性金属層が面心立方格子の構造を持ち、かつ強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層である。又、基材は、MgOからなり、強磁性金属層が組成式Co↓2FeAl↓xSi↓(1−x)(CFAS)で表される層であり、x=0.5である。又、CFAS層は、エピタキシャル成長され、結晶方位が[001]方向に揃ったものである。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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