非晶質基材

開放特許情報番号
L2011000699
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2008-214300
出願日 2008/8/22
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-050342
公開日 2010/3/4
登録番号 特許第5408564号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 非晶質基材
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化亜鉛系半導体材料、バリスタ、ガスセンサー、日焼け止め
目的 平坦な酸化亜鉛基薄膜層が形成された非晶質基材の提供。
効果 本技術が開示する非晶質基材は、亜鉛極性を持った酸化亜鉛によって覆われている構造となっており、耐化学薬品性に優れ、平坦性をもつため、電子素子やディスプレーパネル、あるいは、建築用資材として求められる特性を満足する基材として有用な物となる。
技術概要
この技術では、パルスレーザー蒸着法によって、非晶質基材としての溶融石英ガラス基板上に、導電性の酸化亜鉛薄膜を合成する。ターゲットとしてアルミニウムを1%添加した酸化亜鉛焼結体を用いて、高濃度のアルミニウム成分が亜鉛面の表面となる酸化亜鉛の核形成を促すことによって、表面が平坦な亜鉛表面を有する酸化亜鉛薄膜が得られる。この膜はウルツ鉱型の結晶構造を有し、かつ、その表面が亜鉛極性である(0001)面である。即ち、非晶質基板(ガラス基板)上に酸化亜鉛、あるいは、酸化亜鉛固溶体であって、ウルツ鉱型の結晶構造を持った薄膜、すなわち酸化亜鉛基薄膜層を成長させる場合、亜鉛極性面を持った酸化亜鉛は、平坦な表面(亜鉛(0001)面)を有することから、この亜鉛極性面上に、さらに、n型、p型の導電性制御、あるいは、発光センターを導入した酸化亜鉛を高品質に成長することが可能である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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