Co基ホイスラー合金

開放特許情報番号
L2011000696
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2008-199712
出願日 2008/8/1
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2010-037580
公開日 2010/2/18
登録番号 特許第5322209号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 Co基ホイスラー合金
技術分野 金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 TMR(トンネル型磁気抵抗)素子、GMR(巨大磁気抵抗)素子、TMR素子
目的 PCAR法を用いて、従来にはない高いスピン偏極率を有するCo基ホイスラー合金の提供。
効果 ↑スピンの状態を増加させることでスピン偏極率の増加が期待できる。本技術によれば、Co↓2MnSnホイスラー合金のSnをGaで置換することにより、スピン偏極率がCo↓2MnSnのP=0.6からCo↓2MnSn↓(0.5)Ga↓(0.5)合金のP=0.72へと増加することを見出した。この値は現在までに報告されているホイスラー合金のスピン偏極率と比べて、非常に高い値である。
技術概要
この技術では、組成式Co2MnW1−XGaX(ただし、0<X<1、W:Si,Ge又はSnのいずれかの元素)であるCo基ホイスラー合金とすることにより、PCAR法により測定されたスピン偏極率を従来にはない高いものとする。ここで、スピン偏極率は、P=(D↑−D↓)/(D↑+D↓)(D↑、D↓はそれぞれフェルミエネルギーにおけるアップおよびダウンスピン電子の状態密度)によって定義される。ここからわかるようにD↑の値を大きくすることによってもスピン偏極率を増加させることができる。Co↓2MnSnのSnをGaで置換することによりフェルミレベル付近の↑スピンの状態を増加させるという発想で、スピン偏極率を0.73に増加させ、低いスピン偏極率という問題を克服した。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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