sp3−結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法。

開放特許情報番号
L2011000687
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2008-186594
出願日 2008/7/18
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-256766
公開日 2009/11/5
登録番号 特許第5218969号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 sp3−結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法。
技術分野 金属材料
機能 表面処理
適用製品 Sp↑3−結合性6H−BN、sp↑3−結合性10H−BN
目的 新たな結晶構造をもったBN薄膜の提供。
効果 半導体化されたBN薄膜のデバイス化(例:太陽電池作製等)などに特に威力を発揮するが、sp↑3−結合性BN高密度相合成・薄膜の実用的な大面積化等にも役立つ。また、この結晶は、c−BN同様のsp↑3−結合によるもので、c−BNと同じようにダイヤモンドに次ぐ硬度が期待できる。ドーピングが容易であり半導体化による導電性の制御が様々な手法により可能であるという特徴がある。
技術概要
この技術のBN薄膜は、Sp↑3−結合性6H−BNとsp↑3−結合性10H−BNを含有することを特徴とする。また、sp↑3−結合性BN高密度相を有するBN薄膜の製造方法であって、基材上に形成したアモルファスBN薄膜にレーザ照射して、相変化を生じさせ、照射箇所に高密度相を形成することを特徴とする。アモルファスBN薄膜の作製は、通常知られた手法でよい。代表例としては、プラズマCVD,熱CVD等により、ホウ素原料ガスとしてB↓2H↓6、BCl↓3等、窒素原料ガスとしてNH↓3等を用いる。基板としては、シリコン等の半導体材料、ステンレス、ニッケルなどの金属材料、ガラス、サファイヤ等を用いる。レーザ照射は、真空チャンバー内に予め作製しておいたアモルファスBN薄膜(基板上に作製)を置き、光学窓から紫外光を照射する。この際、雰囲気は制御され、特に原料ガスにアンモニアを含有するプラズマ雰囲気などは、効果が強い。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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