光デバイス

開放特許情報番号
L2011000686
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2008-179722
出願日 2008/7/10
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-053676
公開日 2009/3/12
登録番号 特許第5013377号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 光デバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 非線形光学材料、シリコン基板
目的 光機能を実現するシリコン基板上に集積化された光デバイスおよびその製造方法の提供。
効果 既存のシリコン電子デバイスと、単結晶薄膜による非線形光学を利用した光通信の高速伝送技術とを合わせることができる。この結果、既存のシリコン電子デバイスの高速化、大容量化を可能にする。このような光デバイスには、単結晶薄膜に加えて、その他の電子部品(例えば、電子回路、光源、レンズ、フィルタ等)も同一のシリコン基板上に搭載できるので、小型化を可能にする。また、光デバイスを用いれば、回路内配線、素子間配線、ボード間配線が可能となるので、データ伝送の高速化が可能となる。
技術概要
この技術は、導波路を通る光を調整する調整構造を有する光デバイスであって、結晶基板と、これとは異なる材質の結晶体とが一体化されていて、その一方に光導波路が設けられ、他方に光導波路に光学的に一体化した光調整構造が設けられている。上記の光デバイスにおいて、結晶基板がシリコン基板であることを特徴とする。また光調整構造が分極反転構造であり、光調整構造を構成する結晶体は、LiTaO↓3、LiNbO↓3、KTiOPO↓4、KNbO↓3、および、LiNb↓((1−x))Ta↓XO↓3(0≦x≦1)からなる群から選択されることを特徴とする。そして、導波路が結晶基板内に形成してあることを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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