導電性材料

開放特許情報番号
L2011000675
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2008-127074
出願日 2008/5/14
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-274904
公開日 2009/11/26
登録番号 特許第5403500号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 導電性材料
技術分野 電気・電子、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 透明導電材料、ディスプレイパネル、太陽電池
目的 インジウムを用いることのない導電性材料の提供。
効果 Ga↓2O↓3(ZnO)↓m(mは自然数)の組成式で表される一連の化合物群の存在が報告されている。本技術は、このような組成の材料が特定の結晶構造を持つこと、および高い導電性を有することを知見し、これを利用したものである。
技術概要
この技術は、可視光の透過性を有する導電性材料であって、化学式Ga↓(2−x)M↓xO↓3(ZnO)↓m(mは自然数。M:Gaに代替可能な元素)であらわされる結晶構造を有することを特徴とする。Gaに代替し得る元素としては、Gaと同様に酸化物中において3価のイオンとなり、イオンサイズもガリウムと極端には違わない元素のことである。例えば、AlおよびInはこれに該当する。ガリウムの一部をAlあるいはIn若しくはこれらと同様な元素に置き換えても基本的には同様な作用効果を発揮させ得ることは容易に類推できる。組成パラメータmとして0以上の任意の有理数および無理数に置き換えた場合はそれに最も近い二つの整数m1、m2(ただしm1<m<m2)に対応した二つの相の共存状態となる。このことから、mが整数の場合と同様な作用効果を発揮させ得ることは容易に類推できる。混合ガスは還元性ガスをCOに、不活性ガスをN↓2あるいはHe,Ne,Xeに置き換えても試料中に酸素欠陥を導入する効果は本質的に変わらないので、同様な作用効果を発揮させ得ることは容易に類推できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT