ガスセンサー素子

開放特許情報番号
L2011000673
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2011/2/10

基本情報

出願番号 特願2008-113325
出願日 2008/4/24
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-042213
公開日 2009/2/26
発明の名称 ガスセンサー素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 ショットキー電極、オーミック電極、電流−電圧特性
目的 最小限の加熱操作で従来では望むことの出来ない高感度な検出が可能なガスセンサー素子の提供。
効果 室温で従来の2倍近い高感度で水素などを検知することが出来るようになった。また、MIS型構造を取り入れることによって、高温で素子を動作させる際に懸念されるショットキー電極とオーミック電極の間の電流リークも低減することが可能なので、素子温度を上昇させることで、さらなる感度の向上も期待できる。
技術概要
本技術のガスセンサー素子は、ショットキー電極と基板との界面に絶縁膜が設けてあることを特徴とする。本技術を構成する絶縁膜は、厚さが100nm以下1nm以上であるのが好ましい。これは、絶縁膜の厚さが100nm以上の場合、素子に流れる電流が小さくなるので、ガスの検出に伴う電流−電圧特性の変化を検出することが難しくなり、また、絶縁膜の厚さが1nm以下の場合、絶縁膜による感度向上の効果が薄れてしまうためである。また、絶縁膜としてSiO↓2を使用しているが、広く酸化性絶縁膜は、水素などの還元性物質に強い親和性を持つために、本実施例と同様に、水素ガスに対して高い応答性を持つと予想される。従って、本技術は絶縁膜としてSiO↓2以外にもAl↓2O↓3、LaAlO、HfO↓2、HfAlON、La↓2O↓3、Y↓2O↓3、HfSiON、SiON等の酸化性絶縁膜に適用できる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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