コーン・エミッタの形成方法

開放特許情報番号
L2011000671
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/8

基本情報

出願番号 特願2008-081441
出願日 2008/3/26
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-238504
公開日 2009/10/15
登録番号 特許第5170653号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 コーン・エミッタの形成方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 BN薄膜、ディスプレイ、電子写真、照明等
目的 工程中の制御パラメータを少なくして、製造手順を簡素化するとともに、容易にコーン・エミッタの分布を制御し得るようにしたコーン・エミッタの形成方法の提供。
効果 予めプラズマCVD等により作製した平滑な(アモルファス)BN薄膜を、後に紫外光照射することによりコーン形状をもつ電子エミッター薄膜として形成し直すもので、特にコーン・エミッタの配列制御に威力を発揮し、電界電子放出素子としての性能強化と、プロセスの制御性の向上・簡易化をもたらすものである。
技術概要
この技術は、BN薄膜の表面にコーン・エミッタを形成する方法であって、基板表面に形成した平坦な表面を持つアモルファスBN薄膜表面に紫外光を照射して、結晶化することを特徴とする。前記紫外光は、一定の周期をもってパルス照射する。紫外光の照射は、ガス雰囲気中で行う。具体的には、基板上に作製されたアモルファスBN薄膜を、光導入用光学窓を持つ合成チャンバーに設置し、チャンバー内雰囲気を不活性ガス(Arなど)、又は、不活性ガスにNH3ガスなどを混入したもので満たし、チャンバー外から光学窓を通して紫外光(代表的にはArFレーザ光:波長193nm)を薄膜表面に照射する。この際、NH3等の窒素を含有するガスを推奨するのはBNの組成変化(Nが抜けやすい)を抑制する効果があるためである。又、これらの雰囲気は、プラズマ化することで、プロセス時間の短縮などの効果がある。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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