二ホウ化ジルコニウム(ZrB2)単結晶とその育成法並びに半導体形成用基板

開放特許情報番号
L2011000662
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2008-042317
出願日 2008/2/25
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-173512
公開日 2009/8/6
登録番号 特許第5218960号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 二ホウ化ジルコニウム(ZrB2)単結晶の育成法及び半導体形成用基板
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ホウ素と炭素両者からなるフラックス(融剤、溶媒)、窒化ガリウム系半導体、発光ダイオードの材料、ワイドギャップ半導体、電子制御素子
目的 ZrB↓2単結晶育成における障害は高い育成温度に起因していることから、本技術では、フラックスを用い育成温度を下げることで加熱電力を下げ、結晶の大型化を容易にし、かつ得られる結晶を良質化させる二ホウ化ジルコニウム(ZrB↓2)単結晶とその育成法並びに半導体形成用基板の提供。
効果 融帯(融液)がホウ素より元素としての蒸気圧が1桁以上低い炭素(C)を含有することで、特に初期融帯の形成が容易となり、また、より安定な結晶育成が可能になる。さらに、このホウ素炭素フラックスを用いることで、加熱電力が定比組成の原料棒より結晶を育成する場合に比較して30%から50%低下し、大型で良質なZrB↓2単結晶の育成が容易になった。
技術概要
この技術は、新しいフラックスの探索として、ZrB↓2と共融する物質を対象に浮遊帯域溶融法において使用可能な物質を探索した結果、ホウ素と炭素を同時にフラックスとして用いることで、良質な結晶が安定に育成されることを見いだした。即ち、この技術は、二ホウ化ジルコニウム(ZrB↓2)単結晶を育成する方法において、ホウ素(B)と炭素(C)をフラックス(融剤、溶媒)として用いZrB↓2単結晶を育成することを特徴とする。上記の育成法において、溶液(融液)の組成(ZrB↓yC↓x)が、以下の(式1)を満たすことを特徴とする。−0.6x+4≦y≦−1.9x+6.4&x≧0.1・・・・(式1)ここで、y=B/Zrの原子比,x=C/Zrの原子比。また、上記の育成法において、浮遊帯域溶融法を用いZrB↓2単結晶を育成することを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2018 INPIT