MgB2超伝導線材の製造方法

開放特許情報番号
L2011000651
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2018/1/23

基本情報

出願番号 特願2007-542601
出願日 2006/10/24
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2007/049623
公開日 2007/5/3
登録番号 特許第5229868号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 MgB2超伝導線材の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 高い臨界電流密度、均質化、シース材
目的 実用化レベルの十分高いJcを有し、長尺にわたって均質なMgB↓2超伝導線材を、使用環境に適した組成の材料をシース材として用いて製造することが可能なMgB↓2超伝導線材の製造方法と、それにより得られるMgB↓2超伝導線材の提供。
効果 このMgB↓2超伝導線材の製造方法によると、ex−situプロセスによっても、例えば従来よりJc値が一桁以上向上された、十分に高いJc特性を有する超伝導線材を得ることができる。また、第2の発明によると、そのex−situプロセスに用いる好適なMgB↓2超伝導体粉末の調整方法が提供される。このMgB↓2超伝導線材の製造方法によると、線材に加熱処理を加えなくともMgB↓2超伝導線材の各種特性を向上させることができる。
技術概要
この技術は、MgB↓2超伝導体の粉体を管に充填して線材加工するex−situプロセス用のMgB↓2超伝導体の粉体として、粒界結合性に優れ、かつ、結晶性を低下させることで臨界電流密度(Jc)を高めたMgB↓2超伝導体の粉体を使用することを特徴とするMgB↓2超伝導線材の製造方法を提供する。MgB↓2超伝導体の粉体として、マグネシウム(Mg)あるいは水素化マグネシウム(MgH↓2)とホウ素(B)との混合粉末を管に充填し、線材加工した後に加熱処理を行う手法で得られるMgB↓2超伝導体を粉体化して用いることを特徴とするMgB↓2超伝導線材の製造方法を提供する。MgB↓2超伝導体を得る際に、MgあるいはMgH↓2とBの混合の割合を、Mg:Bとして、0.9:2〜1.1:2の範囲とする。混合粉末に添加物として炭素(C)含有のセラミック、遷移金属または芳香族添加有機化合物の粉末を混合することを特徴とするMgB↓2超伝導線材の製造方法を提供する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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