ダイヤモンド半導体整流素子

開放特許情報番号
L2011000632
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2017/12/27

基本情報

出願番号 特願2007-503618
出願日 2006/2/7
出願人 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公開番号 WO2006/087937
公開日 2006/8/24
登録番号 特許第5158777号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 ダイヤモンド半導体整流素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ダイヤモンド半導体整流素子
目的 ダイヤモンド半導体整流素子における整流性電極において理想因子n値1を達成する熱安定な整流性電極の提供。
効果 500℃もの高温熱処理後においても理想因子n値1.0を達成する極めて熱安定なダイヤモンド半導体整流素子を提供できる。
技術概要
 
この技術では、整流性電極を有するダイヤモンド半導体整流素子であって、ダイヤモンド半導体上の酸化処理表面に、高融点金属元素のカーバイド化合物であるTiC、ZrC、HfC、VC、NbC、TaC、CrC、MoC、およびWCの内少なくとも1つのカーバイド化合物が薄膜として層状構造を持つ整流性電極を有することを特徴とするダイヤモンド半導体整流素子を提供する。また、熱処理によってダイヤモンドと冶金学的に反応する金属元素からなる第1層電極と高融点金属元素のカーバイド化合物からなる第2層電極からなるオーム性電極が熱処理されてダイヤモンド半導体上の酸化処理表面に形成されていることを特徴とするダイヤモンド半導体整流素子を提供する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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