錫ナノワイヤで充填された円筒状内部通路を有するリボン様β−Ga2O3チューブ

開放特許情報番号
L2011000608
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/7

基本情報

出願番号 特願2007-230221
出願日 2007/9/5
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-131906
公開日 2009/6/18
登録番号 特許第5196363号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 錫ナノワイヤで充填された円筒状内部通路を有するリボン様β−Ga2O3チューブ
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 錫ナノワイヤ、β−Ga↓2O↓3チューブ、Ga↓2O↓3RST、電子スイッチ
目的 新規なリボン様(あるいは平らで薄いベルト様)形状のβ−Ga↓2O↓3チューブ構造の提供。
効果 部分的に又は完全に錫ナノワイヤで充填された円筒状内部通路を有する新規なリボン様β−Ga↓2O↓3チューブが得られる。
技術概要
この技術では、部分的に又は完全に錫ナノワイヤで充填された円筒状内部通路を有するリボン様β−Ga↓2O↓3チューブを提供する。また、錫ナノワイヤで充填された円筒状内部通路を有するリボン様β−Ga↓2O↓3チューブの製造方法として、次の工程を含む製造方法を提供する。(工程)1.GaNとSnOの混合物を、水平型高温真空加熱炉中、アルミナ円筒管中央部のアルミナ皿(又はボート)の上に置く;2.アルミナ円筒管の下流側に挿入された広めのアルミナ板の上に、基板としての清浄なシリコン・ウェハを置く;3.装置のベース圧にまで、円筒管を真空ポンプで真空に引く;4.アルゴン−水素混合ガスを、アルミナ円筒管の中へ定流速で導入する;5.加熱炉を約900℃まで加熱し、この温度に所定時間保つ;6.加熱炉を更に約1200℃まで加熱し、所定時間保つ;7.加熱炉を室温まで冷やす;8.シリコン・ウェハから産物を集める。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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