高温超伝導単結晶上での面内型ジョセフソン接合形成法

開放特許情報番号
L2011000607
開放特許情報登録日
2011/2/10
最新更新日
2015/10/9

基本情報

出願番号 特願2007-230126
出願日 2007/9/5
出願人 独立行政法人物質・材料研究機構
公開番号 特開2009-064880
公開日 2009/3/26
登録番号 特許第5207271号
特許権者 国立研究開発法人物質・材料研究機構
発明の名称 高温超伝導単結晶上での面内型ジョセフソン接合形成法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 超伝導量子干渉素子2次元アレー、面内型ジョセフソン接合形成法、超高感度磁気センサー
目的 高温超伝導単結晶の酸化処理、還元処理と、寸法制御性に優れ簡便であるフォトリソグラフィー加工からなる単純なプロセスのみを用いてジョセフソン接合を作製できる方法の提案。
効果 ジョセフソン接合の形成をT↓c、I↓c及び結晶性の揃った均質なBi系高温超伝導単結晶上における酸化処理、還元処理プロセスのみで達成するため、高度な作製技術を必要としない。また、T↓c、I↓c及び結晶性の揃った均質な単結晶を用いているためHTS−SQUID2次元アレーを作製した際にHTS−SQUID素子間の特性のばらつきを原理的に低減することができる。
技術概要
この技術では、高温超伝導単結晶上での面内型ジョセフソン接合形成法は、Bi系高温超伝導単結晶を劈開し、清浄面を出す工程を含むと共に、還元処理により、単結晶全体を絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体にする工程を含み、酸化処理により、絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体の表面のみ超伝導を復活させ超伝導体層にする工程を含む、またフォトリソグラフィー加工で、超伝導体層の単結晶のab面における全面積の40〜60%を、単結晶のc軸方向に超伝導層が2〜40nm程度残るように直角に削り取り露出面を形成する工程を含み、等方的な還元処理により、超伝導体層の露出面のみを絶縁体にし、絶縁体層を形成する工程を含み、方向性のある酸化処理により、絶縁体層の一部のみを超伝導体層にする工程を含むものとする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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